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首頁 >2SA1162>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：104.56 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,0.15A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	Galaxy 銀河微電	Galaxy
2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP)	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶體管	JSCJ 長晶科技	JSCJ
2SA1162-G	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/sg/marking.html">SG；Package：SOT-23；PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712 文件：639.74 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SA1162-GR	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ? High voltage and high current: VCEO= ?50 V, IC= ?150 mA (max) ? Excellent hFElinearity: hFE(IC= ?0.1 mA)/hFE(IC= ?2 mA) = 0.95 (typ.) ? High hFE: hFE= 70~400 ? Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：178.67 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA
2SA1162GT1	文件：50.1 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Transistors ?Moisture Sensitivity Level: 1 ?ESD Rating: TBD 文件：50.1 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2SA1162-O	文件：199.3 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features ? Capable of 0.15Watts of Power Dissipation. ? Collector-current: 0.15A ? Collector-base Voltage: -50V ? Operating and storage junction temperature range: -55°C to +150°C ? Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ? Moisure Sensitivity Level 1 ???????? Lead Free Finish/RoHS 文件：199.3 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MCC	MCC
2SA1162-O	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/so/marking.html">SO；Package：SOT-23；PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712 文件：639.74 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	YFWDIODE 佑風(fēng)微	YFWDIODE
2SA1162S-Y-LF	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ? High voltage and high current: VCEO= ?50 V, IC= ?150 mA (max) ? Excellent hFElinearity: hFE(IC= ?0.1 mA)/hFE(IC= ?2 mA) = 0.95 (typ.) ? High hFE: hFE= 70~400 ? Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：189.37 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TOSHIBA 東芝	TOSHIBA

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晶體管資料

型號：
2SA1162
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_通用型（Uni）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.15A
最大工作頻率：
>80MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,2SA1311,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-23
vtest：
50
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.15

技術(shù)參數(shù)

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
ComplementaryProduct：
2SC2712
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SA1162	TOSHIBA/東芝	25+	SOT23-3	12423	TOSHIBA/東芝原裝特價2SA1162即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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更多2SA1162供應(yīng)商更新時間2026-1-20 11:44:00

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