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首頁 >2SA1129>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1129	文件：103.38 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SA1129 is a mold power transistor developed for mid-speed switching, and is ideal for use as a ramp driver. FEATURES ? Large current capacity with small package: IC(DC)= ?7.0 A ? Low collector saturation voltage: VCE(sat) = ?0.3 V MAX. @IC= ?3.0 A, IB = ?0.1 A ? Complementary transi 文件：103.38 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA1129	文件：255.29 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING 文件：255.29 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SA1129	文件：95.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Large current capacity ·Complement to type 2SC2654 APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching applications 文件：95.26 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1129	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Large current capacity ·Complement to type 2SC2654 APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching applications 文件：186.45 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SA1129	文件：130.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)= -0.3(V)(Max)@lc= -3A ? Large Current Capability-lc= -7A ? Complement to Type 2SC2654 APPLICATIONS ? Designed for mid-switchingapplications, and is ideal for use as a ramp driver. 文件：130.3 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2SA1129	文件：102.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2654 ·Low collector saturation votage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching applications 文件：102.59 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1129	文件：643.64 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Features Large current capacity with small package, low collector saturation voltage, pair with 2SC2654. Applications For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching. 文件：643.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍箭電子	FOSHAN
2SA1129	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：186.45 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2SA1129	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞薩	Renesas
2SA1129_15	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：186.45 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC

晶體管資料

型號：
2SA1129
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
7A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD244,BD544,BD796,BD806,2SB919,
最大耗散功率：
40W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
30
htest：
999900
atest：
7
wtest：
40

技術參數(shù)

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-30
VCEO (V)：
-30
Vebo (V)：
-7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-7
VCE(sat) (V) max.：
-0.6
hFE min.：
40
hFE max.：
200
Pc (W)：
40
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2SA1129供應商更新時間2026-1-19 16:30:00

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