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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N7002BKMB	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ?Very fast switching ?Trench MOSFETtechnology ?ESD protect 文件：667.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKMB	文件：1.4098 Mbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/0000/marking.html">0000；Package：SOT883B；60 V, single N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD prote 文件：1.4098 Mbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKMB_15	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：667.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKMB	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET General description\nN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\n?Very fast switching\n?Trench MOSFETtechnology\n?ESD protection up to 2 kV\n	恩XP	恩XP
2N7002BKMB	文件：300 bytes Page：1 Pages	2N7002BKMB - 60 V, single N-channel Trench MOSFET 60 V, single N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ·Very fast switching\n·Trench MOSFET technology\n·ESD protection up to 2 kV\n·Logic-level compatible\n·Ultra thin package profile with 0.37 mm height;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
DFN1006B-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
1600
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
2000
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
0.45
Q_GD [typ] (nC)：
0.1
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
0.5
P_tot [max] (W)：
0.36
V_GSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
33
C_oss [typ] (pF)：
7
Date：
2012-05-11

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N7002BKMB	恩XP	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	26367	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
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