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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N684	文件：98.72 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N681, A Series types are Silicon Controlled Rectifiers designed for phase control applications. 文件：98.72 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N684	文件：145.43 Kbytes Page：1 Pages	DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER 25 AMPERES - 25 to 400 VOLTS All Wleded Construction Ruggedized to Meet Military Requirements 文件：145.43 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N684	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2N6841	文件：99.79 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 20 A to 49.9 A 文件：99.79 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N6845	文件：82.19 Kbytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET 文件：82.19 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N6845	文件：232.35 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A) REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET? TRANSISTORS THRU-HOLE (100V, P-CHANNEL) The HEXFET? technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: ver 文件：232.35 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IRF	IRF
2N6849	文件：101 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL MOSFET P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/564 文件：101 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N684A	文件：98.72 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N681, A Series types are Silicon Controlled Rectifiers designed for phase control applications. 文件：98.72 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6845	文件：94.75 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：94.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N6845	文件：42.42 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：42.42 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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晶體管資料

型號：
2N684(A)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
50HZ－Thy
性質(zhì)：
封裝形式：
特殊封裝
極限工作電壓：
150V
最大電流允許值：
16A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
C228B,MCR3935-4,T12N200,2N3897,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
F-1
vtest：
150
htest：
999900
atest：
16
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
2N684
功能描述：
SCR PHASE CONT 150V 25A TO-48
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> SCR - 單個
系列：
-
其它有關(guān)文件：
X00619 View All Specifications
產(chǎn)品目錄繪圖：
SCR TO-92 Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- SCR
型：
靈敏柵極電壓 -
斷路：
600V 電壓 -
柵極觸發(fā)器(Vgt)（最大）：
800mV 電壓 -
導(dǎo)通狀態(tài)(Vtm)（最大）：
1.35V 電流 -
導(dǎo)通狀態(tài)(It(AV))（最大）：
500mA 電流 -
導(dǎo)通狀態(tài)(It(RMS))（最大）：
800mA 電流 -
柵極觸發(fā)電流(Igt)（最大）：
200µA 電流 -
維持(Ih)：
5mA 電流 -
斷開狀態(tài)（最大）：
1µA 電流 -
非重復(fù)電涌，50、60Hz(Itsm)：
9A，10A
工作溫度：
-40°C ~ 125°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-92-3
包裝：
剪切帶(CT)
產(chǎn)品目錄頁面：
1554(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
497-9067-1

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市弘為電子有限公司	2N684	IR/ST	24+	TO-48	220	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2N684	IR	專業(yè)模塊	MODULE	8513	模塊原裝主營-可開原型號增稅票	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2N684	VISHAY	2022+	TO-208AA(TO-48)	1500	長期供應(yīng),價格優(yōu)勢,全新原裝,支持實單,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2N684	IR	22+	MODULE	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2N684	IR	23+	MODULE	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	2N684	IR	23+	MODULE	7000		詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2N684		24+	N/A	47000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2N6849JTX	HARRIS	24+/25+		195	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市利加科技有限公司	2N6849	IR	16+	NA	8800	原裝現(xiàn)貨,貨真價優(yōu)	詢價
深圳市豪邁興電子有限公司	2N6849	HAR/INTERSIL	24+	CAN3	4326	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!	詢價

更多2N684供應(yīng)商更新時間2026-1-19 13:34:00

晶體管資料

詳細(xì)參數(shù)

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