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首頁 >2N660>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N6607	文件：528.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS SCRs 文件：528.23 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6608	文件：58.04 Kbytes Page：1 Pages	SCRs SCRs 文件：58.04 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6608	文件：528.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS SCRs 文件：528.23 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6609	文件：205.47 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS Complementary Silicon Power Transistors The 2N3773 and 2N6609 are PowerBase? power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC?DC converters or inve 文件：205.47 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2N6609	文件：148.97 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 140 VOLTS 150 WATTS 文件：148.97 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6609	文件：84.86 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 16 AMPS 文件：84.86 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6609	文件：143.29 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(16A,140V,150W) 16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 140 VOLTS 150 WATTS 文件：143.29 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
2N6609	文件：477.85 Kbytes Page：4 Pages	Transistor, PNP TO-3 Description: Complementary silicon power transistors. The 2N6609 powerbaseTM power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters or inv 文件：477.85 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MULTICOMP 易絡(luò)盟	MULTICOMP
2N6609	文件：144.8 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? Excellent Safe Operating Area ? High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = -8A ? Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.4V(Max)@ IC = -8A ? Complement to Type 2N3773 APPLICATIONS ? Designed for high power audio ,disk head positioners and other linear applications, which can 文件：144.8 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N6609	文件：96.61 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Silicon Power Transistors Complementary Silicon Power Transistors The 2N3773 and 2N6609 are PowerBase? power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters or inve 文件：96.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI

晶體管資料

型號(hào)：
2N660
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
25V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
D-9
vtest：
25
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.2

技術(shù)參數(shù)

Maximum Transition Frequency：
15(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
175000mW
Maximum DC Collector Current：
15A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
5@15AV
Maximum Collector Base Voltage：
450V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多2N660供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 13:30:00

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