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首頁 >2N657>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N6578	文件：209.91 Kbytes Page：5 Pages	15 AMPERE NPN DARLINGTON POWER TRAN 15-Ampere N-P-N Darlington Power Transistors 60, 90 120 Volts, 120 Watts Gain of 2000 at 4 A Features: ■ Operates from IC without predriver ■ Low leakage at high temperature Applications: ■ Power switching ■ Audio amplifiers ■ Hammer drivers ■ Series and shunt regulators 文件：209.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	GE	GE
2N6578	文件：131.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? DARLINGTON ? High DC current gain APPLICATIONS ? Power switching ? Audio amplifiers ? Hammer drivers ? Series and shunt regulators 文件：131.46 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N6578	文件：92.02 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6576, 2N6577, and 2N6578 are silicon NPN Darlington power transistors designed for general purpose switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：92.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6578	文件：51.69 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：51.69 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6579	文件：100.43 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Description: Si NPN Power BJT, I(C) = 10 A to 19.9 A 文件：100.43 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N6579	文件：254.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Excellent Safe Operating Area ? High Voltage,High Speed ? Low Saturation Voltage ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 350V(Min) ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? Off-line power supplies ? Switch 文件：254.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N657A	文件：54.25 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case 文件：54.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2N6573	文件：262.68 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：262.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N6574	文件：126.68 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：126.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N6574	文件：15.5 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：15.5 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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晶體管資料

型號(hào)：
2N657(A,S)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,2N3053,2N4238,2N5321,3DD52D,
最大耗散功率：
1W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
C-40
vtest：
100
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
1

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N657
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
散裝
描述：
PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N657	CRP	24+	CAN-3	8		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	2N657	MOTOROLA	24+	CAN3	1000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2N657	MICROCHIP	23+		7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多2N657供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 14:31:00

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