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2N60AF	文件：371.2 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The Nell 2N60 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 2A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 600V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as switched mode p 文件：371.2 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	NELLSEMI 尼爾半導體	NELLSEMI
2N60B	文件：647.12 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：647.12 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
2N60-C	文件：274.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：274.36 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UTC 友順	UTC
2N60D	文件：2.21513 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET Features ● RDS(ON) 文件：2.21513 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE

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更多2N60AF供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:03:00