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    首頁(yè)>2N6039>規(guī)格書(shū)詳情

    2N6039分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

    PDF無(wú)圖
    廠商型號(hào)

    2N6039

    參數(shù)屬性

    2N6039 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3

    功能描述

    Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

    封裝外殼

    TO-225AA,TO-126-3

    文件大小

    133.15 Kbytes

    頁(yè)面數(shù)量

    6 頁(yè)

    生產(chǎn)廠商

    ONSEMI

    中文名稱

    安森美半導(dǎo)體

    網(wǎng)址

    網(wǎng)址

    數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    更新時(shí)間

    2026-1-22 23:00:00

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    晶體管資料

    • 型號(hào):

      2N6039

    • 別名:

      2N6039三極管、2N6039晶體管、2N6039晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

      Si-N+Darl+Di

    • 性質(zhì):

      低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

    • 封裝形式:

      直插封裝

    • 極限工作電壓:

      80V

    • 最大電流允許值:

      4A

    • 最大工作頻率:

      <1MHZ或未知

    • 引腳數(shù):

      3

    • 可代換的型號(hào):

      BD263A,BD679,BD779,

    • 最大耗散功率:

      40W

    • 放大倍數(shù):

      β>750

    • 圖片代號(hào):

      B-21

    • vtest:

      80

    • htest:

      999900

    • atest:

      4

    • wtest:

      40

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      2N6039

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

    • 包裝:

      剪切帶(CT)帶盒(TB)

    • 晶體管類型:

      NPN - 達(dá)林頓

    • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

      3V @ 40mA,4A

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      100μA

    • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      750 @ 2A,3V

    • 工作溫度:

      150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-225AA,TO-126-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      SOT-32-3

    • 描述:

      TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3

    供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
    onsemi(安森美)
    24+
    TO-126
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    onsemi(安森美)
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    ONSEMI/安森美
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