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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N5686	文件：58.04 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/464 文件：58.04 Kbytes 頁數：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N5686	文件：133.86 Kbytes Page：8 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. Features ? High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes ? DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc ? 文件：133.86 Kbytes 頁數：8 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2N5686	文件：119.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications. Features ? High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes ? DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc ? 文件：119.82 Kbytes 頁數：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2N5686	文件：185.32 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(50A,300W) HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications. ? Continuous Collector Current – IC = 50 A ? Power Dissipation – PD = 300 W @ TC = 25 °C ? DC Current Gain – hFE = 15–60 @ IC = 25 A 文件：185.32 Kbytes 頁數：4 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
2N5686	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2N5686	文件：206.3 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications. ? High Current Capability – IC Continuous = 50 Amperes. ? DC Current Gain – hFE = 15–60 @ IC = 25 Adc ? Low Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 文件：206.3 Kbytes 頁數：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2N5686	文件：99.23 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications. ? High Current Capability – IC Continuous = 50 Amperes. ? DC Current Gain – hFE = 15–60 @ IC = 25 Adc ? Low Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 文件：99.23 Kbytes 頁數：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2N5686	文件：142.32 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：142.32 Kbytes 頁數：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N5686	文件：151.67 Kbytes Page：7 Pages	High??urrent Complementary Silicon Power Transistors 文件：151.67 Kbytes 頁數：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2N5686	文件：126.01 Kbytes Page：3 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR 文件：126.01 Kbytes 頁數：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶體管資料

型號：
2N5686
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
低頻或音頻放大（LF）_開關管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
50A
最大工作頻率：
>2MHZ
引腳數：
2
可代換的型號：
2N5578,2N5579,2N5580,
最大耗散功率：
300W
放大倍數：
圖片代號：
E-44
vtest：
80
htest：
2000100
atest：
50
wtest：
300

產品屬性

產品編號：
2N5686
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
描述：
NPN TRANSISTOR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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