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    2N5661P

    NPN Silicon Power 200V to 300V, 5A PIND Tested

    This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N5660, 2N5660U3, 2N5661, 2N5661U3, 2N5662 and 2N5663 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/454. The device packages for th

    Microchip

    微芯科技

    2N5661P

    Package:TO-213AA,TO-66-2;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

    MICROCHIP

    微芯科技

    JAN2N5661

    NPN POWER SILICON TRANSISTOR

    NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454

    文件:63.27 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    MICROSEMI

    美高森美

    JANTX2N5661

    NPN POWER SILICON TRANSISTOR

    NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454

    文件:63.27 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    MICROSEMI

    美高森美

    JANTXV2N5661

    NPN POWER SILICON TRANSISTOR

    NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/454

    文件:63.27 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    MICROSEMI

    美高森美

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      2N5661P

    • 制造商:

      Microchip Technology

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 系列:

      Military, MIL-PRF-19500/454

    • 包裝:

      散裝

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

      800mV @ 400mA,2A

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      200nA

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      25 @ 500mA,5V

    • 工作溫度:

      -65°C ~ 200°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-213AA,TO-66-2

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-66

    • 描述:

      POWER BJT

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    24+
    N/A
    75000
    一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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    TO-213AA TO-66-2
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    Microsemi
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    MICROSEMI
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    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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    更多2N5661P供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 11:06:00

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