2N5329分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N5329 |
| 參數(shù)屬性 | 2N5329 封裝/外殼為TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | NPN POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱 |
| 文件大小 |
179.66 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2026-1-19 18:39:00 |
| 人工找貨 | 2N5329價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N5329三極管、2N5329晶體管、2N5329晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
150V
- 最大電流允許值：
20A
- 最大工作頻率：
>80MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
3DK10AE,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
F-28
- vtest：
150
- htest：
80000100
- atest：
20
- wtest：
65
2N5329規(guī)格書詳情
GEOMETRY 511
● IC to 30 Amp
● Fast Switching
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5329
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.8V @ 2mA， 10mA
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
接線柱安裝
- 封裝/外殼：
TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-61
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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