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2N5195G	文件：208.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -80V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) :-1.4V(Max) @IC= -4A 文件：208.8 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N5195G	文件：86.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：86.59 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2N5195G	文件：142.76 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 4 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 60 ??80 VOLTS 文件：142.76 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
2N5195G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 80V 4A TO126	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多2N5195G供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 11:05:00