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SILICON EPITAXIAL PNP TRANSISTOR Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 80V IC = 5A 文件：194.26 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | TTELEC | TTELEC | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
DC Current Gain-: hFE= 20-80 @IC= -4A DESCRIPTION ? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max.)@ IC= -4A ? DC Current Gain- : hFE= 20-80 @IC= -4A APPLICATIONS ? Designed for general purpose use in power amplifier and switching circuits. 文件：104.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max.)@ IC= -4A ? DC Current Gain- : hFE= 20-80 @IC= -4A APPLICATIONS ? Designed for general purpose use in power amplifier and switching circuits. 文件：131.03 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
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isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max.)@ IC= -4A ? DC Current Gain- : hFE= 20-80 @IC= -4A APPLICATIONS ? Designed for general purpose use in power amplifier and switching circuits. 文件：41.56 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.75V(Max.)@ IC= -4A ? DC Current Gain- : hFE= 20-80 @IC= -4A APPLICATIONS ? Designed for general purpose use in power amplifier and switching circuits. 文件：130.32 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
NPN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR NPN SILICON UNIJUNCTION TRANSISTOR Silicon unijunction transistors are three-terminal device having a stable “N” type negative resistance characteristic over a wide temperature range. FEATURES ? Stable operation over wide temperature range ? Low leakage current ? Low peak point current ? Gua 文件：343.08 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | DIGITRON | DIGITRON | ||
Diode UNIJUNCTION TRANSISTORS 文件：144.32 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
200V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
>20MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BFT19,BFT44,BFT45,2N3634,2N3635,2N5415,2N5416,2SB606,3CA1F,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
C-62
- vtest：
200
- htest：
20000100
- atest：
0.5
- wtest：
1
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N4930
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
CAN |
7000 |
詢價 | ||||
MOT |
24+ |
CAN3 |
4231 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
1500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
1500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
25+ |
SMD |
326 |
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詢價 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
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MOT |
2023+ |
CAN |
50000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
