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首頁(yè) >2N4233A>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N4233A	文件：264.21 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Excellent Safe Operating Area ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS ? Designed for general-purpose power amplifier and switching applications 文件：264.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N4233A	文件：264.89 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：264.89 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N4233A	文件：95.36 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：95.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N4233A	文件：95.36 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex = 文件：95.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N4233A	文件：196.45 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0. 文件：196.45 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N4233A	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4233A	文件：344.67 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：344.67 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4233A	文件：15.16 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 文件：15.16 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N4233A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	NJS	NJS
2N4233A	文件：300 bytes Page：1 Pages	三極管	Mospec 統(tǒng)懋	Mospec

晶體管資料

型號(hào)：
2N4233A
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
90V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
>4MHZ
引腳數(shù)：
2
可代換的型號(hào)：
BD243B,BD539C,BD953,2N3054,3DD67D,
最大耗散功率：
75W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
E-44
vtest：
90
htest：
4000100
atest：
5
wtest：
75

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N4233A
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
散裝
描述：
PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N4233A		24+	TO-66	10000	全新	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	2N4233A	SAMTEK	新		37	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	2N4233A	MOTO		TO3	1235	優(yōu)勢(shì)庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	2N4233A	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	2N4233A	MICROSEMI	25+	SMD	96	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2N4233A	Microchip	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	2N4234	N/A	24+/25+		37	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
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更多2N4233A供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:00:00

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