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    2N3806

    Dual Transistors

    Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)

    文件:52.73 Kbytes 頁數(shù):1 Pages

    CENTRAL

    2N3806

    PNP SILICON DIFFERENTIAL AMPLIFIERS

    DUAL PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS PNP SILICON DIFFERENTIAL AMPLIFIERS

    文件:251.92 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

    新澤西半導體新澤西半導體公司

    2N3806

    Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) Dual PNP Low Noise Amplifier

    Central

    2N3806

    Package:TO-78-6 金屬罐;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列 描述:TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

    CENTRAL

    2N3806DCSM

    Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed

    文件:15.06 Kbytes 頁數(shù):1 Pages

    SEME-LAB

    2N3806DCSM

    Bipolar Junction Transistors

    TT Electronics

    晶體管資料

    • 型號:

      2N3806

    • 別名:

      三極管、晶體管、晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

      Si-PNP

    • 性質(zhì):

      差分放大器射極輸出 (Dual)_低噪放大 (ra)

    • 封裝形式:

      直插封裝

    • 極限工作電壓:

      60V

    • 最大電流允許值:

      0.05A

    • 最大工作頻率:

      >100MHZ

    • 引腳數(shù):

      6

    • 可代換的型號:

      2N4015,2N4016,2N4020,2N4021,2N4022,2N4023,2N4024,2N4025,3CG170A,

    • 最大耗散功率:

      0.6W

    • 放大倍數(shù):

    • 圖片代號:

      D-52

    • vtest:

      60

    • htest:

      100000100

    • atest:

      0.05

    • wtest:

      0.6

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      2N3806

    • 制造商:

      Central Semiconductor Corp

    • 類別:

      分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

    • 包裝:

      管件

    • 晶體管類型:

      2 PNP(雙)

    • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

      50mA

    • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

      60V

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      150 @ 1mA,5V

    • 功率 - 最大值:

      600mW

    • 頻率 - 躍遷:

      100MHz

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-78-6 金屬罐

    • 供應商器件封裝:

      TO-78-6

    • 描述:

      TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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