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2N3715 | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS SILICON NPN 60.80 VOLTS 150 WATTS Silicon NPN Power Transistors . . . designed for medium–speed switching and amplifier applications. These devices feature: ? Total Switching Time at 3 A typically 1.15 μs ? Gain Ranges Specified at 1 A and 3 A ? Low VCE(sat): typically 0.5 V at IC = 5 A and IB = 0.5 A ? Excellent Safe Operati 文件：272.9 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | |
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2N3715 | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 文件：64.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD130,BD315,BD545B,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N3055,2N3722,2N5632,2N5633,2N5634,3DK208B,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>50
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
4000100
- atest：
10
- wtest：
150
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N3715
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 2A，10A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 1A，2V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 0.001A TO3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSI |
23+ |
TO |
16800 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
SSI |
23+ |
TO |
6850 |
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SSI |
2025+ |
TO |
5000 |
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MOT |
24+/25+ |
277 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
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TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
SSI |
24+ |
TO |
2342 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
SSI |
24+ |
TO |
18700 |
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詢價 | ||
SSI |
TO |
6688 |
730 |
現(xiàn)貨庫存 |
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CENTRAL |
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TO-3 |
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SSI |
23+ |
TO |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
