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首頁 >2N3055>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N3055	文件：230.49 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor Bare Die Features Collector current up to 15A High DC Current Gain, hFE = 20-70 @ IC = 4A Low VCE(sat) = 1.1V Max @ IC = 4A Solderable back metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：230.49 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SS	SS
2N3055	文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Description The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Complementary NPN - PNP transistors Applications ■ General purpose ■ Audi 文件：47.01 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
2N3055	文件：460.93 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTOR Bipolar NPN Device. VCEO = 100V IC = 15A 文件：460.93 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TTELEC	TTELEC
2N3055	文件：225.47 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon power transistors DESCRIPTION The 2N3055 is a silicon epitaxial-base planar NPN transistor mounted in JEDEC TO-3 metal case. lt is intended for power switching circuits, and shunt regulators, output stages and amplifiers. series fidelity amplifiers The complementary PNP type is MJ2955. FEATURES Design 文件：225.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NELLSEMI 尼爾半導(dǎo)體	NELLSEMI
2N3055	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The 2N3055 is a silicon Epitaxial-Base Planar NPN transistor mounted in Jedec TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers. The complementary PNP type is MJ2955. 文件：85.41 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SYC	SYC
2N3055	文件：150.61 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS 文件：150.61 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TEL	TEL
2N3055	文件：92.97 Kbytes Page：7 Pages	Complementary power transistors 文件：92.97 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
2N3055	文件：167.54 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,50V,115W) 文件：167.54 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
2N3055	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2N3055	文件：242.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：242.87 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC

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晶體管資料

型號(hào)：
2N3055(E,H,S,U,)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
>2.5MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5631,2N6254,3DD17D,
最大耗散功率：
115W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
D-44
vtest：
100
htest：
2500100
atest：
15
wtest：
115

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N3055
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
電流 - 集電極截止（最大值）：
700μA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-3
描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	2N3055	M	24+	TPO 3	157355	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華高宇電子有限公司	2N3055	LY	15+		12940	TO-3	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	2N3055	ST	24+	TO-3	1500	AI芯片,車規(guī)MCU原裝現(xiàn)貨/為新能源汽車電子行業(yè)采購保駕護(hù)航	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	2N3055	ST	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2N3055	ST/意法	25+	TO-3	45000	ST/意法全新現(xiàn)貨2N3055即刻詢購立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2N3055	ST(意法)	25+	N/A	18798	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開票。	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N3055	ST(意法)	25+	N/A	18798	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開票。	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	2N3055	ST	2012+	TO-3	25000		詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	2N3055	ST	13+	TO-3	1888	原裝分銷	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N3055		24+	TO-3	10000	全新	詢價(jià)

更多2N3055供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 13:36:00

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