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    2N2907AL

    PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

    RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291

    文件:68.47 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    MICROSEMI

    美高森美

    2N2907AL

    RADIATION HARDENED

    文件:105.73 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    MICROSEMI

    美高森美

    2N2907AL

    PNP Silicon Switching -60V, -0.6A

    This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, switching 2N2906A and 2N2907A transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type, and two levels of product assurance (JANHC and JANKC) are provided for ea The device package outlines for the encapsulated device types are as follows: Three terminal round metal can TO-206AA (formerly TO-18), four terminal surface mount device (SMD) package and three or four terminal SMD package.;

    Microchip

    微芯科技

    2N2907AL

    Package:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO18

    MICROCHIP

    微芯科技

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      2N2907AL

    • 制造商:

      Microchip Technology

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 包裝:

      散裝

    • 晶體管類型:

      PNP

    • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

      1.6V @ 50mA,500mA

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      50nA

    • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      100 @ 150mA,10V

    • 工作溫度:

      -65°C ~ 200°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-206AA,TO-18-3 金屬罐

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-18

    • 描述:

      TRANS PNP 60V 0.6A TO18

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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    更多2N2907AL供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-23 10:19:00

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