| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2N2780 | 20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS 文件：98.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司 | NJSEMI | |
2N2780 | 20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A General Description This transistor is a NPN silicon power transistor designed primarily for high power switching applications and inverters at or below the collector current give in Table I. It is intended for Industrial and Military class of service. 文件：296.15 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司 | NJSEMI | |
2N2780 | Package：TO-211MB，TO-63-4，接線柱；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：POWER BJT | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | |
RAY | RAY | |||
TO-66 | MOTOROL 上傳：深圳市華來深電子有限公司 | MOTOROL |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
30A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2N6324,2N6325,3DK210F,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
F-28
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
30
- wtest：
200
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N2780
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
接線柱安裝
- 封裝/外殼：
TO-211MB，TO-63-4，接線柱
- 供應商器件封裝：
TO-63
- 描述：
POWER BJT
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
25+ |
TO-211MB TO-63-4 接線柱 |
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