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首頁 >2N277>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N2779	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS 文件：98.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N2779	文件：296.15 Kbytes Page：3 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A General Description This transistor is a NPN silicon power transistor designed primarily for high power switching applications and inverters at or below the collector current give in Table I. It is intended for Industrial and Military class of service. 文件：296.15 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N2771	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 250V 30A 3-Pin TO-63	NJS	NJS
2N2773	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 250V 30A 3-Pin TO-63	NJS	NJS
2N2775-2778	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH S.O.A NPN POWER TRANSISTORS (ALLOY)	Semitronics	Semitronics
2N2771	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N2779	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-211MB，TO-63-4，接線柱；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：POWER BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶體管資料

型號：
2N277
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
ADY26,2N1099,2N1980,2N1981,2N1982,2N2075,2N1076,2N1077,2N1078,2N1079,2N1080,2N2081,2N2082,2N291,3AD57A,
最大耗散功率：
170W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
C-82
vtest：
40
htest：
999900
atest：
15
wtest：
170

技術(shù)參數(shù)

Maximum Power Dissipation：
200000mW
Maximum DC Collector Current：
30A
Maximum Collector Emitter Voltage：
250V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@5mA@25mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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更多2N277供應(yīng)商更新時間2026-1-18 15:01:00

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