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首頁 >2N243>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N243	文件：170.4 Kbytes Page：2 Pages	N-P-N GROWN SILICON TRANSISTOR 文件：170.4 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N243	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-18	NJS	NJS
2N2432	文件：56.49 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 文件：56.49 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2432A	文件：56.49 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/313 文件：56.49 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2432A	文件：191.38 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR 文件：191.38 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N2432	文件：11.21 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package 文件：11.21 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2432A	文件：300 bytes Page：1 Pages	300W NPN Low Power BJT Transistor This BJT is packaged in TO-18 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
2N2432A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
2N2432A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AA，TO-18-3 金屬罐；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 30V 0.1A TO18	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
2N2432AUB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，無引線；包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 45V 0.1A UB	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶體管資料

型號：
2N243
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_射頻/高頻放大（HF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.06A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,BC337,BC377,BC637,BC737,BC837,3DG180A,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍數(shù)：
β>9
圖片代號：
D-161
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.06
wtest：
0.75

技術(shù)參數(shù)

Maximum Power Dissipation：
300mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
15V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2N243供應(yīng)商更新時間2026-1-19 13:34:00

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