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2ED2108S06F	文件：1.54825 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED21091S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative vol 文件：1.54825 Mbytes 頁數(shù)：26 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2108S06F	文件：1.70988 Mbytes Page：25 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2108 (4) S06F (J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at nega 文件：1.70988 Mbytes 頁數(shù)：25 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2108S06F	文件：1.67112 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2109 (4) S06F (J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at nega 文件：1.67112 Mbytes 頁數(shù)：26 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2108S06F	文件：1.61501 Mbytes Page：24 Pages	650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2106(4)S06F(J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negat 文件：1.61501 Mbytes 頁數(shù)：24 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2108S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、0.7 A 半橋柵極驅(qū)動器，集成自舉二極管，采用 DSO-8 封裝	Infineon 英飛凌	Infineon
2ED2108S06FXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
650 V
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink：
0.7 A
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
7.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
200 ns
Turn Off Propagation Delay max：
300 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
150 ns
Rise Time：
100 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
8.2 V

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2ED2108S06F	Infineon/英飛凌	2021+	DSO-8	9600	原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價	詢價
深圳市富利微電子科技有限公司	2ED2108S06F	Infineon/英飛凌	24+	DSO-8	25000	原裝正品,假一賠十!	詢價
深圳市斌能達電子科技有限公司	2ED2108S06F	Infineon/英飛凌	24+	DSO-8	6000	全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成	詢價
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司	2ED2108S06F	Infineon/英飛凌	21+	DSO-8	6820	只做原裝,質(zhì)量保證	詢價
深圳市力仕科電子科技有限公司	2ED2108S06F	Infineon/英飛凌	25	DSO-8	6000	原裝正品	詢價
深圳市中賽美電子科技有限公司	2ED2108S06F	Infineon/英飛凌	23+	DSO-8	12700	買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	2ED2108S06F	INFINEON	23+	GOOP	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	2ED2108S06F	INFINEON	23+	GOOP	7000		詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	2ED2108S06F		24+	N/A	53000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
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更多2ED2108S06F供應(yīng)商更新時間2026-1-19 15:29:00

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