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2ED2106S06F	文件：1.70988 Mbytes Page：25 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2108 (4) S06F (J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at nega 文件：1.70988 Mbytes 頁(yè)數(shù)：25 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2106S06F	文件：1.67112 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2109 (4) S06F (J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at nega 文件：1.67112 Mbytes 頁(yè)數(shù)：26 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2106S06F	文件：1.61501 Mbytes Page：24 Pages	650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED2106(4)S06F(J) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negat 文件：1.61501 Mbytes 頁(yè)數(shù)：24 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2106S06F	文件：1.54825 Mbytes Page：26 Pages	650 V half bridge gate driver with integrated bootstrap diode Description The 2ED21091S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Based on Infineon’s SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative vol 文件：1.54825 Mbytes 頁(yè)數(shù)：26 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
2ED2106S06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、0.7 A 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，采用 DSO-8 封裝，集成自舉二極管	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
650 V
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink：
0.7 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
7.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
200 ns
Turn Off Propagation Delay max：
300 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
150 ns
Rise Time：
100 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
8.2 V

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	2ED2106S06F	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢(xún)價(jià)
深圳市天芯威科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon(英飛凌)	23+	DSO-8	25900	新到現(xiàn)貨,只有原裝	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon(英飛凌)	23+	N/A	12000	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢(xún)價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon(英飛凌)	25+	DSO-8	21000	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開(kāi)票。	詢(xún)價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon(英飛凌)	25+	DSO-8	21000	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開(kāi)票。	詢(xún)價(jià)
訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司	2ED2106S06F	Infineon(英飛凌)	2021+	DSO-8	499		詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon/英飛凌	2021+	DSO-8	9600	原裝現(xiàn)貨，歡迎詢(xún)價(jià)	詢(xún)價(jià)
深圳市富利微電子科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon/英飛凌	24+	DSO-8	25000	原裝正品,假一賠十!	詢(xún)價(jià)
深圳市斌能達(dá)電子科技有限公司	2ED2106S06F	Infineon/英飛凌	24+	DSO-8	6000	全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成	詢(xún)價(jià)
深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司	2ED2106S06F	Infineon/英飛凌	21+	DSO-8	6820	只做原裝,質(zhì)量保證	詢(xún)價(jià)

更多2ED2106S06F供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:16:00

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