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25P06	文件：506.24 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>25P06；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 25P06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：506.24 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
25P06	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
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RM25P60D3	文件：592.99 Kbytes Page：7 Pages	絲印：25P06Q；Package：PDFN3X3；P-Channel Enhancement Mosfet Feature -60V,25A Rds (on) 文件：592.99 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RECTRON 麗正國際	RECTRON
RM25P60D3V	文件：692.38 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/25p06q/marking.html">25P06Q；Package：PDFN3X3；P-Channel Enhancement Mosfet Feature 60V-25A Rds(on) 文件：692.38 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	RECTRON 麗正國際	RECTRON

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更多25P06供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 20:45:00