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2112842-1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝描述：CONNECTOR	TE Connectivity AMP Connectors	TE Connectivity AMP Connectors
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NTE21128	文件：37.71 Kbytes Page：6 Pages	Integrated Circuit NMOS, 128K (16K x 8) UV EPROM Description: The NTE21128 is a 131,072 bit UV erasable and electrically programmable memory EPROM in a 28–Lead DIP type package organized as 16,384 words by 8 bits. The transparent lid allows the user to expose the chip to ultraviolet light to erase the bit pattern. A new pattern can then be wr 文件：37.71 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	NTE	NTE

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