絲印：21；Package：SOT666；50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ

1. General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistor (RET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement: PEMD13 PNP/PNP complement: PEMB13 2. Features and benefits ? 100 mA output current capability ? Built-in bias r

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NEXPERIA

安世

絲?。?strong>21；Package：DFN1006；ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE

Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 4.5A (8/20μs) RoHS Compliant

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LEIDITECH

雷卯電子

絲?。?strong>21；Package：DFN1006-2；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode

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APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd.

應能江蘇應能微電子股份有限公司

絲印：21；Package：SOD-923；Zener Diode

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ROHM

羅姆

絲?。?strong>21；Package：SOD-323；Zener Diode

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FS

絲印：21；Package：LLDS；Zener diode

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ROHM

羅姆

絲?。?strong>21；Package：LLDS；Zener diode

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ROHM

羅姆

絲?。?strong>21；Package：LLDS；Zener diode

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ROHM

羅姆

絲?。?strong>21；Package：LLDS；Zener diode

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ROHM

羅姆

絲?。?strong>21；Package：LLDS；Zener diode

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ROHM

羅姆