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GAN190-650EBE	文件：8.10657 Mbytes Page：14 Pages	絲?。?strong>190IEBE；Package：SOT8074-1；650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package 1. General description The GAN140-650EBE is a general purpose 650 V, 190 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm surface mount package. It is a normally-off e-mode device offering superior performance. 2. Features and benefits ? Enhancement mode - normally-off power switch ? Ultra 文件：8.10657 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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