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絲?。?strong>170M1650;Package:PG-TO247-3-STD-NN4.8;CoolSiC? 1700 V SiC Trench MOSFET Features ? VDSS = 1700 V at Tvj = 25°C ? IDDC = 7.5 A at TC = 25°C ? RDS(on) = 650 mΩ at VGS = 12 V, Tvj = 25°C ? Optimized for fly-back topologies ? 12 V / 0 V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers ? Very low switching losses ? Benchmark gate threshold voltage, VGS( 文件:1.28513 Mbytes 頁數:13 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
絲印:170M1650;Package:PG-TO263-7;CoolSiC??1700V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET 文件:1.27879 Mbytes 頁數:16 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON |
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INFINEON |
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更新時間2026-1-18 14:01:00
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