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絲印:140IEBE;Package:SOT8074-1;650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package 1. General description The GAN140-650EBE is a general purpose 650 V, 140 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm surface mount package. It is a normally-off e-mode device offering superior performance. 2. Features and benefits ? Enhancement mode - normally-off power switch ? Ultra 文件:319.92 Kbytes 頁數:14 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA |
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更新時間2026-1-20 9:30:00
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