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TF1216	文件：3.43854 Mbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1216ywwd/marking.html">1216YWWD；Package：DFN2X2-6L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The TF1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -12V,ID = -16A RDS(ON TYP) 12mΩ @ VGS=-4. 文件：3.43854 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	TUOFENG 拓鋒半導體	TUOFENG
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