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11P06	文件：653.88 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET 文件：653.88 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQB11P06	文件：660.81 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor?’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high 文件：660.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQB11P06	文件：653.88 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET 文件：653.88 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FQB11P06	文件：333.66 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=-11.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=-60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.175Ω(Max)@VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：333.66 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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更多11P06供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:02:00