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STP110N7F6	文件：650.17 Kbytes Page：13 Pages	絲?。?strong>110N7F6；Package：TO-220；N-channel 68 V, 0.0055 Ω typ., 110 A, STripFET? F6 Power MOSFET in a TO-220 package Features ? Very low on-resistance ? Very low gate charge ? High avalanche ruggedness ? Low gate drive power loss Applications ? Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET? F6 technology with a new trench gate structure. Th 文件：650.17 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導體	STMICROELECTRONICS

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更多110N7F6供應商更新時間2026-1-18 16:12:00