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PDTC144VMB	文件：751.33 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?strong>00111110；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 10 k廓 General description NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PDTA144VMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件：751.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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